توصل فريقا بحث “روسي – صيني” إلى إنتاج ذاكرة للهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر فائقة السرعة باسم “سوت – مرام”، لا تفقد البيانات عند انقطاع التيار الكهربائي.
وأعلنت جامعة “الشرق الأقصى الفيدرالية الروسية” في بيان، أن التقنية الجديدة تتيح تسجيل البيانات بسرعة تفوق عشرات المرات سرعة وحدات التخزين “الفلاش” الحالية، مع استهلاك أقل بكثير للطاقة.
وأشار الباحثون إلى أنهم تجاوزوا إحدى العقبات الرئيسية في تطوير هذا النوع من الذاكرة، إذ كان تبديل خلاياها يتطلب حقلا مغناطيسيا خارجيا يعقد تصميم الأجهزة، فابتكروا بنية من 3 طبقات تضم طبقتين مغناطيسيتين (إحداهما ممغنطة أفقيًا والأخرى عموديًا) يفصل بينهما غشاء فائق الرقة من معدن “التنجستن” بسماكة نانومتر واحد، أي أرفع بنحو 100 ألف مرة من شعرة الإنسان.
وتبين أن هذه الطبقة الرقيقة من “التنجستن” تولد تيارًا مغزليًا بكفاءة عالية بلغت نحو 15%، وهي نسبة تضاهي ما تحققه طبقات أكثر سماكة من المعادن الثقيلة.
ويعتزم الفريق البحثي خلال المرحلة المقبلة تحسين المواد والهياكل المستخدمة لبلوغ خصائص أعلى، ودراسة إمكانية دمج هذه التقنية ضمن عمليات تصنيع مكونات الإلكترونيات الدقيقة الحالية.